中科院-高濃度臭氧發(fā)生器用于ALD

該臭氧發(fā)生器濃度可達300mg/L，搭配3S-J5000臭氧檢測儀對濃度進行實時檢測。

高濃度臭氧發(fā)生器在ALD（原子層沉積）中有廣泛的應用。ALD是一種薄膜沉積技術(shù)，通過周期性的氣相反應，一層一層地沉積原子尺度的薄膜。臭氧在ALD中通常用作氧化劑，與金屬有機前體反應，形成金屬氧化物薄膜。

高濃度的臭氧發(fā)生器能夠提供更高的臭氧濃度，這對于快速且均勻地進行ALD過程至關(guān)重要。這種設(shè)備通常需要嚴格的控制和安全措施，以確保在工藝中保持穩(wěn)定的氣相條件，從而獲得高質(zhì)量的薄膜沉積。